本发明涉及一种基于金属异质量子点的浮栅存储器及其制备方法，包括半导体衬底，半导体衬底上设置有隧穿层；隧穿层上设置有银/金异质量子点薄膜层，银/金异质量子点薄膜层经退火后形成银/金异质量子点，银/金异质量子点通过俘获隧穿电荷来实现信息存储；银/金异质量子点薄膜层上设置有用于阻挡银/金异质量子点俘获的电荷进入第一电极的阻挡层；阻挡层上设置有用于给阻挡层供电的第一电极，半导体衬底上设置有用于给半导体衬底供电的第二电极。本发明基于金属异质量子点的浮栅存储器具有存储电荷密度高、数据保持特性好、操作电压低、擦写速度快等优点。